物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition， PVD)工藝是指采用物理方法，如真空蒸發(fā)、濺射 （Sputtering）鍍膜、離子體鍍膜和分子束外延等，在圓片表面形成薄膜。在超大規(guī)模集成電路產(chǎn)業(yè)中，使用最廣泛的 PVD 技術(shù)是濺射鍍膜，主要應(yīng)用于集成電路的電極和金屬互連。濺射鍍膜是在高度真空條件下，稀有氣體（如氬氣 Ar）在外加電場作用下電離成離子（如 Ar），并在高電壓環(huán)境下轟擊材料靶源，撞擊出靶材的原子或分子，經(jīng)過無碰撞飛行過程抵達圓片表面形成薄膜。氬氣（Ar）的化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，其離子不會與靶材和薄膜產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)。隨著集成電路芯片進入0. 13um 銅互連時代，銅的阻擋材料層采用了氮化鈦（TiN）或氮化鉭（TaN）薄膜，產(chǎn)業(yè)技術(shù)的需求推動了對化學(xué)反應(yīng)濺射技術(shù)的研發(fā)，即在濺射腔里，除了氬氣，還有反應(yīng)氣體N2，這樣從靶材Ti 或 Ta 轟擊出來的Ti 或Ta 與氮氣反應(yīng)，生成所需的 TiN 或TaN 薄。