靶材制約著薄膜的物理、力學性能，影響鍍膜質量，因而靶材質量評價較為嚴格，主要應滿足如下要求；1)雜質含量低，純度高。靶材的純度影響薄膜的均勻性。2)高致密度。高致密度靶材具有導電、導熱性好、強度高等優點，使用這種靶材鍍膜，濺射功率小，成膜速率高，薄膜不易開裂，靶材使用壽命長，而且濺鍍薄膜的電阻率低，透光率高。3)成分與組織結構均勻。靶材成分均勻是鍍膜質量穩定的重要保證。4)晶粒尺寸細小。靶的晶粒尺寸越細小，濺鍍薄膜的厚度分布越均勻，濺射速率越快。制造工藝目前靶材的制備主要有鑄造法和粉末冶金法。鑄造法：將一定成分配比的合金原料熔煉，再將合金溶液澆注于模具中，形成鑄錠，最后經機械加工制成靶材，鑄造法在真空中熔煉、鑄造。常用的熔煉方法有真空感應熔煉、真空電弧熔煉和真空電子轟擊熔煉等，其優點是靶材雜質含量（特別是氣體雜質含量）低，密度高，可大型化；缺點是對熔點和密度相差較大的兩種或兩種以上金屬，普通熔煉法難以獲得成分均勻的合金靶材。粉末冶金法：將一定成分配比的合金原料熔煉，澆注成鑄錠后再粉碎，將粉碎形成的粉末經等靜壓成形，再高溫燒結，最終形成靶材，其優點是靶材成分均勻；缺點是密度低，雜質含量高等，常用的粉末冶金工藝包括冷壓、真空熱壓和熱等靜壓等。靶材分類根據不同材質分類：可分為00d100金屬靶材，陶瓷（氧化物、氮化物等）靶材，合金靶材。根據不同形狀分類：可分為矩形靶、圓形靶、柱形靶、空心旋轉圓管靶以及異形靶。應用領域半導體領域：1）電極、布線薄膜：鋁靶材，銅靶材，金靶材，銀靶材，鈀靶材，鉑靶材，鋁硅合金靶材，鋁硅銅合金靶材等。2）儲存器電極薄膜：鉬靶材，鎢靶材，鈦靶材等。3）粘附薄膜：鎢靶材，鈦靶材等。4）電容器絕緣膜薄膜：鋯鈦酸鉛靶材等。磁記錄靶材：1）垂直磁記錄薄膜：鈷鉻合金靶材等。2）硬盤用薄膜：鈷鉻鉭合金靶材，鈷鉻鉑合金靶材，鈷鉻鉭鉑合金靶材等。3）薄膜磁頭：鈷鉭鉻合金靶材，鈷鉻鋯合金靶材等。4）人工晶體薄膜：鈷鉑合金靶材，鈷鈀合金靶材等。光記錄靶材：1）相變光盤記錄薄膜：硒化碲靶材，硒化銻靶材，鍺銻碲合金靶材，鍺碲合金靶材等。2）磁光盤記錄薄膜：鏑鐵鈷合金靶材，鋱鏑鐵合金靶材，鋱鐵鈷合金靶材，氧化鋁靶材，氧化鎂靶材，氮化硅靶材等。3）光盤反射薄膜：鋁靶材，鋁鈦合金靶材，鋁鉻合金靶材，金靶材，金合金靶材等。4）光盤保護薄膜：氮化硅靶材，氧化硅靶材，硫化鋅靶材等。顯示靶材：1）透明導電薄膜：氧化銦錫靶材，氧化鋅鋁靶材等。2）電極布線薄膜：鉬靶材，鎢靶材，鈦靶材，鉭靶材，鉻靶材，鋁靶材，鋁鈦合金靶材，鋁鉭合金靶材等。3）電致發光薄膜：硫化鋅摻錳靶材，硫化鋅摻鋱靶材，硫化鈣摻銪靶材，氧化釔靶材，氧化鉭靶材，鈦酸鋇靶材等。其他應用靶材：1）裝飾薄膜：鈦靶材，鋯靶材，鉻靶材，鈦鋁合金靶材，不銹鋼靶材等。2）低電阻薄膜：鎳鉻合金靶材，鎳鉻硅合金靶材，鎳鉻鋁合金靶材，鎳銅合金靶材等。3）超導薄膜：釔鋇銅氧靶材，鉍鍶鈣銅氧靶材等。4）工具鍍薄膜：氮化物靶材，碳化物靶材，硼化物靶材，鉻靶材，鈦靶材，鈦鋁合金靶材，鋯靶材，石墨靶材等。